sur le cours Dispositifs MOS On considère un transistor MOS a canal ...
Dopage du substrat: NA = 10 16 cm-3. Mobilité des trous dans le substrat : µp = 500 cm2/V.s. Permittivité du Silicium : ? Si = 10 ?12 F / cm.
Dopage du substrat: NA = 10 16 cm-3. Mobilité des trous dans le substrat : µp = 500 cm2/V.s. Permittivité du Silicium : ? Si = 10 ?12 F / cm.