EEPROM .doc - METEOSAT

PC Multimédia sous WINDOWS 95 ... Il présente le TD et place les stagiaires en
situation d'autonomie. ... Il inscrit les mots clés au tableau, il corrige les erreurs ...
le problème, il observe et aide les stagiaires afin de leur permettre de réussir l'
exercice .... Le principe repose sur l'échange de deux registres à décalage 8 bits.

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C.Dupaty
Professeur de génie électrique
Lycée Fourcade 13120 Gardanne
( : 04.42.51.47.03 ATTENTION ce commentaire est à effacer avant impression:
< Pour visualiser les réponses aux questions (en rouge), dans « OUTILS »
« OPTIONS » « AFFICHAGE », valider « TEXTE MASQUE »
< Pour imprimer les réponses aux questions (en rouge), dans « OUTILS »
« OPTIONS » « IMPRESSION », valider « TEXTE MASQUE »
< Pour éviter l'impression couleur : « IMPRIMER » « PROPRIETES » « IMPRIMER
EN NIVEAUX DE GRIS »
< Les dernières pages de ce document sont les transparents de cours Fiche contrat (de préparation de séquence)
Technologie et application des produits, les mémoires EEPROM Objectifs : < Découvrir les produits EEPROM à travers des documents ST et ATMEL
< Comparer les bus de communication IIC et SPI
< Travailler en autonomie
< Utiliser un outil de documentation multimédia Pré requis : Connaissances et savoir-faire d'un technicien supérieur en électronique ou
électrotechnique A partir de : < TD et TP de ce document
< Présentation PowerPoint : IIC.PPT et SPI.PPT
< CDROM : DATA DISK SGS-THOMSON 3ième édition 1996
< CDROM : Nonvolatile Memory ATMEL DATA BOOKS june 1997
< PC Multimédia sous WINDOWS 95
< Outil de programmation de carte à puce CARTPUCE Conditions : Travail individuel, évaluation formative, durée 4h en laboratoire. Critères d'évaluation : < Toutes les réponses doivent être apportées
< Les traductions demandées ne doivent laisser aucune ambiguïté sur le sens
du texte, elles doivent être très proche du texte original en anglais.
< L'utilisation de l'ordinateur doit être aisée. (manipulation de la
souris, des fenêtres ...)
< L'écriture sera soignée de manière à pouvoir réutiliser le document
réponse
< Le travail doit être le plus autonome possible, le professeur étant dans
le laboratoire pour guider les stagiaires et résoudre les problèmes
matériels Remarque : Le lecteur doit compléter les paragraphes précédés du symbole ( Fiche de déroulement de séquence : Durée 4h, 15mn de pose , 4 mn de
tolérance |Durées|Etapes et contenu|Activités du professeur |Activités des |Moyens |Connaissances et |
|(mn) | | |stagiaires |matériels et |savoir-faire apportés |
| | | | |documents | |
| | | | |utilisés | |
|10mn |Présentation du |Il présente les objectifs et le |Ils écoutent et |Fiche contrat | |
| |contrat, des |contrat, la méthode pédagogique |peuvent demander |Tableau blanc | |
| |conditions de |retenue (évaluation formative) |des précisions |Transparent n°1| |
| |travail | | | | |
|20mn |Contrôle des pré |Il questionne oralement et amène |Ils mobilisent |Tableau blanc | |
| |requis |les stagiaires à confirmer leurs |leurs connaissances| | |
| | |pré requis sur les différentes |afin de répondre | | |
| | |mémoires |aux questions. | | |
|1mn | |Il distribue les TP et les | | | |
| | |documents ressources. | | | |
|80mn |Apports de |Il présente le TD et place les |Ils recherchent, |PC, CD ROM, |Découverte CD ROM SGS,|
| |savoirs nouveaux |stagiaires en situation |participent et |Data Sheet | |
| |et développement |d'autonomie. Il les guide, les |notent sur le |ATMEL |Mémoire EEPROM à accès|
| |des savoir-faire |conseille... |document réponse. |PwerPoint, TD |série |
| | | |Ils notent les |Tableau blanc |Bus SPI |
| | | |réponses dictées et|Transparent |Bus IIC |
| | | |corrigent |2,3,4,5,6 | |
| | | |éventuellement leur| | |
| | | |travail | | |
| 90mn |Apports de |Il présente le TP et place les |Ils recherchent, |PC, logiciel |SmartCard |
| |savoirs nouveaux |stagiaires en situation |participent et |CARTEPUC.EXE |Carte téphonique |
| |et développement |d'autonomie. Il les guide, les |notent sur le |Lecteur de |Carte GFM2K |
| |des savoir-faire |conseille. Ensuite. |document réponse. |carte sur PC |Programmation d'une |
| | |Il observe le travail des |Ils notent les |Transparent 7,8|mémoire IIC |
| | |stagiaires, aide ceux en |réponses dictées et| | |
| | |difficulté. Il inscrit les mots |corrigent |Tableau blanc | |
| | |clés au tableau, il corrige les |éventuellement leur| | |
| | |erreurs |travail | | |
|20mn |Exercice |Il présente le problème, il |.Ils mobilisent les|PC, logiciel | |
| | |observe et aide les stagiaires |connaissances |CARTEPUC.EXE | |
| | |afin de leur permettre de réussir|nouvelles pour |Lecteur de | |
| | |l'exercice |répondre au |carte sur PC | |
| | | |problème posé, ils | | |
| | | |s'auto évaluent en | | |
| | | |référence au | | |
| | | |contrat de départ | | |
Technologie de fabrication des mémoires EEPROM
Les EEPROM peut être programmée et effacée électriquement. Ci dessous on
peut voir structure flotox (Floating Gate Tunnel Oxide). Dans les EEPROM la faible l'épaisseur de l'oxyde entre la grille flottante
et le silicium (quelques dizaines de nanomètres) rend facile l'élimination
par voie électrique des électrons piégés dans la grille flottante L'oxyde est de 15 nm environ au niveau du drain, et les électrons peuvent
alors voyager dans les deux sens par effet tunnel à travers la couche
d'oxyde sous l'effet d'un champ électrique issu d'une tension de +/- 20 V
durant 10mS. (Source ST Microelectronics) . Source ST Microelectronics :
Pour bloquer un transistor, la source et le drain sont mis à la masse, et
une impulsion de tension positive est appliquée entre la seconde grille et
la masse, des électrons issus du drain traversent la mince couche d'oxyde
et viennent se piéger dans la grille flottante. De même que pour les EPROM, I'accroissement de tension de seuil qui en
résulte pour la deuxième grille interdit au MOS de devenir conducteur au
cours d'une lecture ultérieure. Pour supprimer ce blocage du transistor la seconde grille et la source sont
mises à la masse, et l'impulsion de tension est appliquée entre drain et
masse; les électrons précédemment piégés dans la grille flottante
transitent en sens inverse à travers l'oxyde mince et la tension de seuil
redevient normale. La possibilité de reprogrammer facilement les EEPROM (voir les mémoires
flash) justifie le succès de ce type de point mémoire < Organisation des cellules mémoires (doc Intel, DATA BOOK Applications
1981): < Pour effacer un bit, on place une tension de 20v sur la ligne et 0v sur
la colonne < Pour écrire un bit la colonne est placée sous une tension de 18 à 20v et
la ligne à 0v Présentation du TP Le TP utilise abondamment le CDROM SGS-THMSON « DATA DISK », le lecteur
peut également se documenté à partir du CDROM ATMEL DATA BOOK, les produits
étudiés étant similaires. A partir du CD-ROM SGS-THMSON « DATA DISK »
< Cliquer deux fois sur WELCOME.PDF puis descendre dans l'arborescence
proposée et valider la famille ST62
|ATMEL |AT24C02 |AT93C56 |
|SGS THOMSON |ST24C02 |ST93C56 |
Les mémoires EEPROM Quelle est la signification des termes :
EPROM :
(
Erasable PROgrammable Memory, Mémoire morte effaçable. UVEPROM :
(
EPROM effaçable par une exposition aux ultra-violet, ce type de mémoire est
placée dans un boîtier avec fenêtre (windowed) OTP MEMORY :
(
One Time Programmable Memory, c'est une mémoire programmable par
l'utilisateur
mais une seule fois, souvent c'est une UVEPROM mais sans fenêtre FLASH MEMORY :
(
C'est une mémoire morte dont l'effacement et l'écriture est très rapide (de
l'ordre de
grand